製造商產品編號:
IPD26N06S2L35ATMA2
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD26N06S2L35ATMA2-DG
描述:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
详细描述:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
庫存:
2296 全新原裝現貨
12800526
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IPD26N06S2L35ATMA2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
55 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 26µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
621 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
68W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3-11
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD26N06
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
IPD26N06S2L35ATMA2CT
IFEINFIPD26N06S2L35ATMA2
IPD26N06S2L35ATMA2DKR
2156-IPD26N06S2L35ATMA2
SP001063630
IPD26N06S2L35ATMA2TR
IPD26N06S2L35ATMA2-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM340N06CP ROG
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
32797
部件號碼
TSM340N06CP ROG-DG
單位價格
0.22
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STD20NF06T4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
6960
部件號碼
STD20NF06T4-DG
單位價格
0.44
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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