2N5551CBU
製造商產品編號:

2N5551CBU

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

2N5551CBU-DG

描述:

TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

庫存:

12834259
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2N5551CBU 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
600 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
160 V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
電流 - 集電極截止(最大值)
50nA (ICBO)
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
625 mW
頻率 - 過渡
100MHz
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包
TO-92-3
基本產品編號
2N5551

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
1,000

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

部件編號
2N5551BU
製造商
onsemi
可用數量
404529
部件號碼
2N5551BU-DG
單位價格
0.04
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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