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常見問題
製造商產品編號:
2N5657G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
2N5657G-DG
描述:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 10MHz 20 W Through Hole TO-126
庫存:
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2N5657G 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
500 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
350 V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
10V @ 100mA, 500mA
電流 - 集電極截止(最大值)
100µA
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
30 @ 100mA, 10V
功率 - 最大值
20 W
頻率 - 過渡
10MHz
工作溫度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包
TO-126
基本產品編號
2N5657
資料表及文件
HTML 資料表
2N5657G-DG
資料表
2N5657G
數據表
2N5655, 5657
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
2N5657GOS
ONSONS2N5657G
2156-2N5657G
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
MJD340G
製造商
onsemi
可用數量
6546
部件號碼
MJD340G-DG
單位價格
0.22
替代類型
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