製造商產品編號:
FCPF7N60
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCPF7N60-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3
庫存:
988 全新原裝現貨
12846442
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FCPF7N60 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
920 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
31W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220F-3
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
FCPF7
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
2166-FCPF7N60-488
FCPF7N60_NL-DG
FCPF7N60-NDR
FCPF7N60_NL
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK560A65Y,S4X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
5
部件號碼
TK560A65Y,S4X-DG
單位價格
0.60
替代類型
Direct
DIGI 認證
相關產品
FDMS86520L
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
FDP150N10
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
IRF740B
MOSFET N-CH 400V 10A TO220-3
