製造商產品編號:
FDI3652
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDI3652-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 9A/61A I2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
庫存:
12848698
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDI3652 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2880 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262 (I2PAK)
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
FDI3652
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
400
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
