製造商產品編號:
FDS4935BZ
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDS4935BZ-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
庫存:
10800 全新原裝現貨
12837596
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FDS4935BZ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1360pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
FDS49
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
FDS4935BZDKR
2832-FDS4935BZTR
2156-FDS4935BZ-OS
FDS4935BZCT
FAIFSCFDS4935BZ
FDS4935BZTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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