FDY2000PZ
製造商產品編號:

FDY2000PZ

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDY2000PZ-DG

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F
详细描述:
Mosfet Array 20V 350mA 446mW Surface Mount SOT-563F

庫存:

12848576
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FDY2000PZ 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 10V
功率 - 最大值
446mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SOT-563F
基本產品編號
FDY20

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
2832-FDY2000PZTR
FDY2000PZ-DG
FDY2000PZCT
FDY2000PZDKR
FDY2000PZTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
PMDT670UPE,115
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
8459
部件號碼
PMDT670UPE,115-DG
單位價格
0.07
替代類型
Similar
部件編號
SI1023X-T1-GE3
製造商
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可用數量
6973
部件號碼
SI1023X-T1-GE3-DG
單位價格
0.11
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部件號碼
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單位價格
0.15
替代類型
Direct
部件編號
EM6J1T2R
製造商
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可用數量
12037
部件號碼
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單位價格
0.11
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