製造商產品編號:
FQH8N100C
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQH8N100C-DG
描述:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
详细描述:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
12840493
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FQH8N100C 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
QFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
1000 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3220 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
225W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
FQH8N100
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
2156-FQH8N100C-OS
ONSONSFQH8N100C
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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