製造商產品編號:
NTHD3100CT1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTHD3100CT1-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
详细描述:
Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
庫存:
12840307
請求報價
數量
最低限1
最低限1
hqDo
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
NTHD3100CT1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.9A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
165pF @ 10V
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
ChipFET™
基本產品編號
NTHD3100
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
FDS8958A-F085
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
FDS9933A
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
EFC6605R-V-TR
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
