製造商產品編號:
NXH010P120MNF1PNG
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NXH010P120MNF1PNG-DG
描述:
SIC 2N-CH 1200V 114A
详细描述:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
庫存:
12973308
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NXH010P120MNF1PNG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
Tray
系列
-
產品狀態
Active
科技
Silicon Carbide (SiC)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
1200V (1.2kV)
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 40mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
454nC @ 20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4707pF @ 800V
功率 - 最大值
250W (Tj)
工作溫度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Chassis Mount
包裝 / 外殼
Module
供應商設備包
-
基本產品編號
NXH010
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
28
其他名稱
488-NXH010P120MNF1PNG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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