STW26NM60ND
製造商產品編號:

STW26NM60ND

Product Overview

製造商:

STMicroelectronics

零件編號:

STW26NM60ND-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3

庫存:

12873767
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
7eov
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

STW26NM60ND 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
FDmesh™ II
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
21A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
54.6 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1817 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
190W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
STW26N

額外資訊

標準套餐
30
其他名稱
497-14225-5
-497-14225-5
STW26NM60ND-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STW28N60DM2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STW28N60DM2-DG
單位價格
1.76
替代類型
Similar
部件編號
IXFH34N50P3
製造商
IXYS
可用數量
292
部件號碼
IXFH34N50P3-DG
單位價格
4.52
替代類型
Similar
部件編號
APT34M60B
製造商
Microchip Technology
可用數量
0
部件號碼
APT34M60B-DG
單位價格
11.84
替代類型
Similar
部件編號
SPW24N60C3FKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
46
部件號碼
SPW24N60C3FKSA1-DG
單位價格
3.15
替代類型
Similar
部件編號
IXFH36N60P
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXFH36N60P-DG
單位價格
6.71
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
stmicroelectronics

STW24NM60N

MOSFET N-CH 600V 17A TO247

stmicroelectronics

STO47N60M6

MOSFET N-CH 600V 36A TOLL

stmicroelectronics

STH272N6F7-6AG

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

stmicroelectronics

STW75NF30

MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3