STW26NM60ND
製造商產品編號:

STW26NM60ND

Product Overview

製造商:

STMicroelectronics

零件編號:

STW26NM60ND-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3

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STW26NM60ND 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
FDmesh™ II
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
21A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
54.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1817 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
190W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
STW26N

額外資訊

標準套餐
30
其他名稱
497-14225-5
-497-14225-5
STW26NM60ND-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STW28N60DM2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STW28N60DM2-DG
單位價格
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