RN1911(T5L,F,T)
製造商產品編號:

RN1911(T5L,F,T)

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

RN1911(T5L,F,T)-DG

描述:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6

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RN1911(T5L,F,T) 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
4.7kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
-
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
250MHz
功率 - 最大值
100mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
US6
基本產品編號
RN1911

資料表及文件

數據表
RN1910,11

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
RN1911(T5LFT)TR
RN1911(T5LFT)DKR
RN1911(T5LFT)CT

環境及出口分類

RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
UMH4NTN
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2980
部件號碼
UMH4NTN-DG
單位價格
0.06
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可用數量
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可用數量
54
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單位價格
0.04
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DIGI 認證
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