RN4988(TE85L,F)
製造商產品編號:

RN4988(TE85L,F)

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

RN4988(TE85L,F)-DG

描述:

NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6

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2980 全新原裝現貨
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RN4988(TE85L,F) 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列,預偏置
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
50V
電阻器 - 基座 (R1)
22kOhms
電阻器 - 發射極基極 (R2)
47kOhms
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止(最大值)
500nA
頻率 - 過渡
250MHz, 200MHz
功率 - 最大值
200mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
US6
基本產品編號
RN4988

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
264-RN4988(TE85LF)TR
264-RN4988(TE85LF)DKR
264-RN4988(TE85LF)CT

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI 認證
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