製造商產品編號:
TK31V60W5,LVQ
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK31V60W5,LVQ-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
详细描述:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
庫存:
12788 全新原裝現貨
12890391
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TK31V60W5,LVQ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
DTMOSIV
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30.8A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
109mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1.5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
240W (Tc)
工作溫度
150°C (TA)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
4-DFN-EP (8x8)
包裝 / 外殼
4-VSFN Exposed Pad
基本產品編號
TK31V60
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
TK31V60W5LVQDKR
TK31V60W5LVQTR
TK31V60W5LVQCT
TK31V60W5,LVQ(S
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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