TK6A45DA(STA4,Q,M)
製造商產品編號:

TK6A45DA(STA4,Q,M)

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

TK6A45DA(STA4,Q,M)-DG

描述:

MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
详细描述:
N-Channel 450 V 5.5A (Ta) Through Hole TO-220SIS

庫存:

28 全新原裝現貨
12890785
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TK6A45DA(STA4,Q,M) 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tube
系列
π-MOSVII
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
450 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.4V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
-
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220SIS
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
TK6A45

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
TK6A45DA(STA4QM)
TK6A45DASTA4QM

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRFI830GPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
795
部件號碼
IRFI830GPBF-DG
單位價格
0.67
替代類型
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