製造商產品編號:
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK8A50DA(STA4,Q,M)-DG
描述:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
详细描述:
N-Channel 500 V 7.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
庫存:
38 全新原裝現貨
12889927
請求報價
數量
最低限1
最低限1
v4ow
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
TK8A50DA(STA4,Q,M) 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tube
系列
π-MOSVII
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
500 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7.5A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
700 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
35W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220SIS
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
TK8A50
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
TK8A50DA(STA4QM)
TK8A50DASTA4QM
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
TK60S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
SSM3J64CTC,L3F
MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
