製造商產品編號:
TPCF8B01(TE85L,F,M
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
详细描述:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
庫存:
12890298
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TPCF8B01(TE85L,F,M 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
U-MOSIII
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.7A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 200µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
470 pF @ 10 V
FET 特性
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）
330mW (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
VS-8 (2.9x1.5)
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
基本產品編號
TPCF8B01
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-DG
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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